| IGBT功率循环测试仪器 | |
| 公开链接： | http://cgyx.ccgp.gov.cn/cgyx/pub/details?groupId=511d266f-d9b6-4cd2-88dc-11ee71070671 |
| 采购单位： | 工程与应用技术研究院 |
| 采购项目名称： | IGBT功率循环测试仪器 |
| 预算金额： | 207万元 |
| 采购品目： | A02100610 电子可靠性试验设备 |
| 采购需求概况： | 1、设备能同时对16个器件进行热阻测试，结构函数分析以及功率循环测试。 2、设备可测二极管、MOSFET和IGBT。 3、支持测试MOSFET器件在功率循环下的冷态电压Von，区分键合线和封装结构老化对功率循环下电压Von的影响。 4、设备在功率循环测试时，应能设置以下参数作为失效判据：电压V(on)在功率循环电流下，冷态电压V(on,cold)和V(on,LP)，结温差，最高结温，功率差，以及结壳热阻等参数的绝对改变量或相对百分比变化。 5、功率循环过程中，设备支持定期热瞬态测试，并能根据功率循环电流下的电压、温度差、最高结温、栅极电流等参数变化，自动调节测试频率。 6、设备在功率循环过程中应记录以下参数：V(on)为功率循环电流下的电压，V(on,cold)和V(on,LP)为冷态电压，V(hot)和V(cold)分别为测试电流下的热态和冷态电压，I(g,off)为栅极电流。此外，设备还需记录功率差、功率循环电流、结温差以及最高和最低结温等参数。 7、设备应能提供如下的热阻测试数据：温度随时间变化曲线（Measured response），热阻抗曲线（Zth），时间常数谱（Tau Intensity），安全工作区域（SOA Plot），频域响应（Complex Locus），脉冲热阻（Pulse Thermal Resistance），积分与微分结构函数（Structure Function），RC网络模型。 8、设备应提供以下热阻测试数据：温度随时间变化曲线、热阻抗曲线、时间常数谱、安全工作区域、频域响应、脉冲热阻、积分与微分结构函数、RC网络模型。 9、设备应包含16个外部温度传感器采集通道，支持的传感器类型至少包括K型热电偶和热电阻。 10、设备应具备与仿真软件的扩展功能。 11、设备应支持在线标定器件的K系数以及手动输入K系数的功能。 |
| 预计采购时间： | 2024年04月 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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