| 原子层沉积设备 | |
| 公开链接： | http://cgyx.ccgp.gov.cn/cgyx/pub/details?groupId=3610bb5d-6477-419e-b44f-5ccb1fa966ec |
| 采购单位： | 芯片与系统前沿技术研究院（筹） |
| 采购项目名称： | 原子层沉积设备 |
| 预算金额： | 430万元 |
| 采购品目： | A02330300 电子工业生产设备 |
| 采购需求概况： | 原子层沉积设备主要用于沉积出薄膜材料，例如Ⅱ-Ⅵ化合物、Ⅱ-Ⅵ基TFEL磷光材料、Ⅲ-V化合物、氮(碳)化物、半导体/介电材料、氧化物介电层、其他三元材料、单质材料。 原子层沉积设备主要由腔体、气体管路、加热前驱源系统、真空系统、预备腔等几部分组成。原子层沉积系统（ALD）是半导体器件、半导体材料的制备及集成电路工艺的基础性必备设备，主要用于生长金属氧化物，目前已被广泛的应用于微电子、物理、化学、材料、信息、生物和医学等多个学科领域。本项目根据科研需求计划采购2台原子层沉积设备。 |
| 预计采购时间： | 2024年10月 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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